Physikalische Fehleranalyse

Qualitätssicherung und Strukturanalyse für Halbleiterbauteile

Integrierte Schaltkreise auf Siliziumsubstraten werden heute in fast allen elektronischen Geräten unseres Alltages verwendet. Zukunftstechnologien wie autonomes Fahren, Elektromobilität oder das Internet der Dinge benötigen immer leistungsfähigere und komplexere elektronische Bauelemente und Systeme. Neben einer immer weiter fortschreitenden Miniaturisierung und der damit verbundenen Leistungssteigerung sowie der Kosteneffizienz spielt auch die Steigerung der Robustheit, vor allem für kritische Anwendungen, eine wichtige Rolle. Mit der stetig wachsenden Komplexität der Systeme und den steigenden Anforderungen an Lebensdauer und Zuverlässigkeit, stellen sich auch neue Herausforderungen im Bereich der Qualitätssicherung und der dafür zwingend notwendigen Strukturanalyse.

 

Wir bieten unseren Kunden einen individuell angepassten Analyseprozess

© Fraunhofer IMWS
TEM-Abbildung einer Transistorstruktur mit elektrisch aktiven Kristalldefekten

Wir bieten unseren Kunden eine komplette Fehleranalysekette – von der Präparation der Proben über Strukturanalyse sowie chemische und elektrische Charakterisierung bis hin zur Simulation. Dabei steht die Orientierung am Bedarf unserer Kunden und deren aktive Einbeziehung in den Analyseprozess mittels entsprechender Fehleranamnese und einer Klärung der bisherigen Fehlerhistorie anhand von bereits vorliegenden Analyseergebnissen im Vordergrund.

Was Sie erwarten können: eine bedarfsorientierte Fehleranalyse

Wir unterstützen und begleiten unsere Partner:

  • mit unserem fundierten Fachwissen im Bereich der Silizium-Technologie
  • bei der Auswahl der richtigen Methodik zur zielgerichteten Fehleranalyse
  • bei der komplexen Material- und Fehlercharakterisierung elektronischer Bauteile aus den Anwendungsbereichen Automotive, RF und Leistungselektronik
  • bei der Entwicklung von Präparationsverfahren auf der Basis von fokussierten Ionenstrahlen (FIB)
  • durch die schnelle und zielgerichtete Abarbeitung ihrer Fragestellung

Ihr Nutzen: zuverlässigere und robustere Produkte

Unsere Kunden profitieren von einer Steigerung der Zuverlässigkeit und Robustheit ihrer Produkte sowie einer dadurch verbesserten Kosteneffizienz. Wir unterstützen unsere Kunden bei der Optimierung der anwendungsorientierten Fertigungsprozesse.

Material Insights 2023/24 - Online Expert Session mit Michél Simon-Najasek

Rückseiten-Analysestrategie zur Identifizierung eines bauartbedingten Fehlerzustands bei einem Kfz-Magnetsensor

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      Publikationen

      Jahr/Year Titel/Autor Title/Author
      2023

      Backside Analysis Strategy to Identify a Package-Related Failure Mode at an Automotive Magnetic Sensor Device

      Simon-Najasek, Michel; Naumann, Falk; Hübner, Susanne; Lejoyeux, Mickael; Altmann, Frank; Lindner, A.

      2022

      Flyer: Physikalische Fehleranalyse

      2021

      Local metal segregation as root cause for electrical shorts in highly doped pressure sensor devices

      Simon-Najasek, M.; Diehle, P.; Große, C.; Hübner, S.; Brokmann, G.; Sprenger, B.; Sprenger, B.; Altmann, F.
      2020

      On-Wafer Fast Evaluation of Failure Mechanism of 0.25-mm AlGaN/GaN HEMTs: Evidence of Sidewall Indiffusion

      Rzin, M.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Zhan, V.G.; Marcon, D.; Grünenpütt, J.; Jung, H.; Lambert, B.; Riepe, K.; Blanck, H.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
      2019

      Non-invasive soft breakdown localisation in low k dielectrics using photon emission microscopy and thermal laser stimulation

      Herfurth, N.; Wu, C.; Beyreuther, A.; Nakamura, T.; Wolf, I. de; Simon-Najasek, M.; Altmann, F.; Croes, K.; Boit, C.
      2019

      Adaptive low-temperature covalent bonding of III-nitride thin films by extremely thin water interlayers

      Gerrer, Thomas; Graff, Andreas; Simon-Najasek, Michél; Czap, Heiko; Maier, Thomas; Benkhelifa, Fouad; Müller, Stefan; Nebel, Christoph E.; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Cimalla, Volker
      2017

      High resolution physical analysis of ohmic contact formation at GaN-HEMT devices

      Graff, A.; Simon-Najasek, M.; Altmann, F.; Kuzmik, J.; Gregusová, D.; Hascík, S.; Jung, H.; Baur, T.; Grünenpütt, J.; Blanck, H.
      2016

      Novel failure mode of chip corrosion at automotive HALL sensor devices under multiple stress conditions

      Simon-Najasek, M.; Lorenz, G.; Lindner, A.; Altmann, F.

      Leistungsangebote

       

      Lokalisierung von elektrischen Defekten

       

      Prozesscharakterisierung und Fehlerdiagnostik

       

      Entwicklung von Analysetechniken