Technologiepark

Mikrostrukturdiagnostik

UHV-Kammer des ToF-SIMS
© Fraunhofer CSP
In der UHV-Kammer des ToF-SIMS wird mit Hilfe von Ionensputterquellen die chemische Zusammensetzung einer Probe bestimmt.
  • Metallographie und ionenstrahlgestützte Probenvorbereitung
  • Mikroskopie (optisch, NIR)
  • Analytische Rasterelektronenmikroskopie (SEM) mit EDX/EBSD, EBIC
  • Transmissinselektronenmikroskopie (SEM) mit EDX/EBSD, EBIC
  • Fokussierter Ionenstrahl (FIB)
  • Flugzeit-Sekundärionen-Massenspektrometrie (ToF-SIMS)
  • Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS)
  • Rastersondenmikroskopie (AFM)
  • Akustische Rastermikroskopie (SAM)

Element-Analytik

XRD Bruker AXS D8 Advance
  • Hochauflösende ICP-Magnetsektor-Massenspektrometrie (ICP-MS)
  • Optische ICP-Emissionsspektrometrie (ICP-OES)
  • Glimmentladungs-Massenspektrometrie (GD-MS)
  • Gaschromatograph-Massenspektrometrie
  • Laserinduzierte Zerfallsspektroskopie (LIBS)
  • Restgas-Analysator (RGA)
  • Röntgendiffraktometrie (XRD)

 

Elektrische Charakterisierung

  • Widerstands- und I-U-Kurvenmessung (4-Punkt-Methode, Wirbelstrom)
  • Charakterisierung elektrischer Mikrosonden
  • Lock-in-Thermografie (LIT)
  • Magnetfeld-Bildgebung (MFI)

Optische Charakterisierung

Spektroskopie Spektrometrie Photovoltaik
© © FH Südwestfalen/Bernd Ahrens
Solarzelle unter einem µ-Raman-Spektrometer.
  • UV-Vis-NIR-Fluoreszenzspektrometer
  • Fourier-Transformations-Infrarot-Spektrometer (FTIR)
  • Raman-Spektrometer (Mikro- und Makro-Raman)
  • Spektralellipsometer
  • Nano- und Femtosekundenlasersysteme für die Präparation