Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS) ermöglicht als Methode zur Oberflächenanalyse von Werkstoffen die Untersuchung komplexer chemischer Verbindungen. Dazu wird das Material mit Primärionen (Bi+, Bi3+) beschossen, woraufhin sich die an der Oberfläche befindlichen Atome und Moleküle ionisieren. Sie werden also durch Hinzufügen oder Entfernen von einem oder mehreren Elektronen zu geladenen Teilchen (Sekundärionen), die sich dann mittels Time-Of-Flight-Analyse detektieren lassen. Leichtere Sekundärionen erreichen dabei den Detektor schneller, schwerere Sekundärionen treffen später auf. Aus dem Zeitpunkt des Auftreffens lässt sich auf die Masse der Ionen und somit auf die chemische Zusammensetzung das Materials schließen. Jede chemische Substanz hat einen einzigartigen Fingerprint, der prinzipiell für eine Identifikation verwendet werden kann.
Im entstehenden Oberflächenspektrum lassen sich Massenpeaks der Elemente und Moleküle und deren Fragmente (bedingt durch den Beschuss mit Primärionen) erkennen. Hinzu kommen noch alle Kombinationen von möglichen Isotopen-Signalen und auch Molekülverbindungen, die erst durch den Beschuss entstehen. Auf Grund der hohen Anzahl von möglichen Fragmentierungen und möglichen chemischen Verbindungen ist eine Identifikation nur dann möglich, wenn Referenzdaten (z.B. aus einer Datenbank) oder Zusatzinformationen vorhanden sind.
Um die Leistungsfähigkeit des Verfahrens zu demonstrieren, wurden am Fraunhofer IMWS Papierproben untersucht, die mit Streifen in den Grundfarben Cyan, Magenta und Yellow bedruckt waren. Die Linien wurden möglichst dünn gewählt, so dass sie in ein für die ToF-SIMS-Oberflächenanalyse typisches Messfeld von 500 µm x 500 µm passen.
Auf den Farblinien befindet sich eine Passivierung, die den direkten Zugang zur Farbpigment-Oberfläche schützt – und für eine Oberflächenanalyse zunächst versperrt. Um dennoch ein Oberflächenspektrum der Farbpigmente zu erhalten, muss die Passivierung mit einem geeigneten Verfahren entfernt werden, ohne dass die chemische Verbindung der Farbpigmente unterhalb der Passivierung dabei zerstört wird. Dazu wurde eine Gas-Cluster-Quelle (Gas Cluster Ion Source) genutzt. Diese verwendet Ar-Cluster, bestehend aus Clustern mit einer hohen Anzahl von Ar-Atomen (>1500). Da die Ar-Cluster im Verhältnis zur Energie vergleichsweise groß sind, kann der Abtrag der organischen Passivierungsschicht erfolgen, ohne dass die darunter befindlichen chemischen Verbindungen zerstört werden.